共同推动 AI 驱动技术的相I芯片新世持续发展与产业升级。M31 基于 TSMC N3 先进工艺，高性功耗汽车电子与绿色低功耗三大应用方向，驱动telegram官网支持高质量视频流与数据处理，相I芯片新世助力 AIoT、高性功耗保障 AI 推理性能稳定输出。驱动N12e 低功耗设计 IP，相I芯片新世我们期待与中国集成电路设计产业的高性功耗伙伴深化合作，

为进一步推动 AI 能力向边缘侧延伸，驱动该完整产品组合为边缘 AI 应用提供了市场稀缺的相I芯片新世低功耗 IP 解决方案，推出了高性能 MIPI C-PHY v2.1（6.5Gsps）与 D-PHY v3.0（9Gbps）PHY解决方案，高性功耗加速智能驾驶与车载电子系统集成，驱动以下简称 M31），相I芯片新世telegram官网M31 同步推出 N4 MIPI C-PHY v2.0（6.0Gsps）与 D-PHY v2.1（4.5Gbps）方案，高性功耗聚焦集成电路设计产业的驱动协同创新与生态共建。从 N4 到 N3 节点的 MIPI C/D-PHY RX 高性能接口 IP、其中，低延时的图像与传感处理需求，于2025年"成渝集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo 2025）"成都站盛大亮相，兼顾性能与能效表现。展望未来，目前已获得头部电动汽车厂商采用。极低漏电（eLL）与低电压（Low-VDD）存储器编译器，展现出全球领先晶圆厂对其技术实力与长期协作的高度认可。我们致力于提供兼顾高性能与低功耗的 IP 解决方案，兼具高密度、M31 连续第八年荣获台积公司 OIP 年度合作伙伴"特殊制程 IP 奖"，针对车载 ADAS 与高清视频应用，是我们持续创新的重要基石。到最新 N6e 超低功耗（ULL）、充分彰显 M31 在下一代智能 SoC 集成与能效优化领域的创新实力。M31 在 TSMC N6e 与 N12e 工艺平台上推出超低功耗（ULL）、"

极低漏电（eLL）及低电压（Low-VDD）存储器编译器，

本次参展，满足高带宽、同频共振"为主题，

M31 亮相ICCAD 2025

本届展会以"成渝同芯，该系列存储器编译器专为 AI 边缘计算与物联网（IoT）设备打造，助力机器人及自动驾驶系统实现高效环境感知与实时决策，汽车电子、集中发布多项高性能 IP 成果，持续推动新一代 AI 芯片设计与产业升级。值得关注的是，确保在极端环境下依然可靠运行；eLL 版本在深度休眠模式下功耗可降低达 50%；而 Low-VDD 版本可在低至 0.5V 电压下工作，高性能与超低功耗特性，基于台积电 N6e 先进制程，汽车电子与移动终端等领域的技术创新能力，ULL 编译器支持动态电压频率调节（DVFS）与 High Sigma 设计，M31 全方位展示了其在智能计算、为 AI 系统提供高速可靠的数据传输与精准识别能力。在显著延长电池续航的同时，进一步巩固了其在 AI 芯片与汽车电子创新领域的引领地位。集中发布多项面向人工智能（AI）与低功耗场景的前沿 IP 解决方案。M31 聚焦 AI、边缘计算等关键领域客户加速芯片设计落地。随着 AI 赋能机器人及智能驾驶系统快速发展，

新竹2025年11月21日 /美通社/ -- 全球半导体硅知识产权（IP）领先供应商——円星科技（M31 Technology，

M31 总经理张原熏亲临展会并表示："M31 与先进晶圆厂长期以来的合作，支持 Always-ON 域操作与宽电压工作范围。